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+品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
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應用領域 | 環(huán)保,能源,電子,航天,綜合 |
RTP4-1200型全溫區(qū)快速退火爐
關鍵詞:快速退火爐,RTP, 200℃/S
RTP4-1200型快速退火爐快速熱處理退火爐簡稱 RTP(Rapid Thermal Processing Furnace),在吸收了生產(chǎn)制造工藝的基礎上自主研發(fā)了該款產(chǎn)品。該設備不但擁有極快的升溫速率200℃/S,而且在燒結工藝運行完結,直接將試樣在高溫區(qū)取出。實現(xiàn)物理狀態(tài)下的最快降溫。我們的工程師們巧妙地利用了冷壁工藝,在綠色節(jié)能環(huán)保的基礎上真正的實現(xiàn)了試樣的極速升降溫.多重保護功能,過溫報警,過熱報警,過熱自動保護,水壓報警,水壓異常自動保護是材料研究的重要設備,目前在各大高校,科研院所及生產(chǎn)單位廣泛使用。
一、RTP4-1200型快速退火爐應用領域
快速熱退火 (RTA); 離子注入后退火
石墨烯等氣象沉積,碳納米管等外延生長
快速熱氧化 (,RTO); 熱氮化 (RTN);
硅化 (Silicidation);
擴散 (Diffusion);
離子注入后退火 (Implant Annealing);
電極合金化 (Contact Alloying);
晶向化和堅化 (Crystallization and Densification);
化合物半導體:
√LED芯片
√光通訊芯片
√射頻芯片
√功率半導體芯片
2.應用的工藝:
√離子注入后快速退火
√ITO鍍膜后快速退火
3.其他應用領域:
氧化物、氮化物生長
硅化物合金退火
砷化鎵工藝
歐姆接觸快速合金
氧化回流
其他快速熱處理工藝
產(chǎn)品特點:
可測大尺寸樣品:可測單晶片樣品的尺寸為1-8英寸。
壓力控制系統(tǒng)創(chuàng)新設計:高精度控制壓力,以滿足不同的工藝要求。
存儲熱處理工藝:方便工藝參數(shù)調(diào)取,提高實驗效率,數(shù)據(jù)可查詢。
快速升溫:最高升溫速率可達200℃/s。
程序設定與氣路擴展:可實現(xiàn)不同溫度段的精確控制,進行降溫段的自動轉接,并能夠?qū)に嚥藛芜M行保存,方便調(diào)用。采用MFC精確控制氣體流量,最多可支持6路氣體,實現(xiàn)不同氣氛環(huán)境(真空、惰性氣氛、氧氣、氫氣、混合氣等)下的熱處理。
全自動智能控制:采用全自動智能控制,包括溫度、時間、氣體流量、真空、冷卻水等均可實現(xiàn)自動控制。
超高安全系數(shù):采用爐門安全溫度開啟保護、溫控器開啟權限保護以及設備急停安全保護三重安全措施,保障設備使用安全。
分區(qū)控溫:分區(qū)域控制加熱功率,提高溫度均勻性。
RTP4-1200型快速退火爐主要技術參數(shù):
溫度范圍 | 100 – 1300 ℃ |
升溫速率 | 2 — 200 ℃/秒可調(diào) |
密封石英腔內(nèi)面尺寸 | 215 X 140X 14 毫米 |
樣品最大尺寸 | 4英寸 |
計算機控制器 | PC 機控制,內(nèi)存 4G,500G硬盤,處理器:I3 以上及快速熱處理編程控制軟件RTP-500的控制軟件. |
溫度設定范圍 | 100-1300℃ |
溫度重復性 | +/-1℃ 6區(qū)控溫 |
測溫精確度 | 100-1300全溫度段精度>0.5% |
測溫裝置 | K型熱電偶 |
溫度曲線 | 自動記錄,保存,文本格式轉換,支持彩色分頁打印 |
1000℃連續(xù)工作時間 | 雙閉環(huán)溫度控制,穩(wěn)態(tài)溫度穩(wěn)定性±2℃ ,1000℃連續(xù)工作>1小時 |
光源 | 1.25KW X 13 鹵鎢燈 |
電源 | 380 V 40A 三相 四線(三火線, 零線),50/60Hz |
水源 | 自來水或循環(huán)水, 水壓 1—3 kg / 平方厘米, 流量6-8升/分 |
冷卻方式 | 水冷,風冷,氣冷 |
安全裝置 | 過溫報警,過熱報警,過熱自動保護,水壓報警,水壓異常自動保護 |