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2024-04-01
+2016-07-08
+2022-11-08
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詳細介紹
| 品牌 | Microtrac/拜爾 |
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HTR-4立式4寸快速退火爐
HTR-4立式4寸快速退火爐（芯片熱處理設備）廣泛應用在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化合物半導體和功率器件等多種芯片產品的生產，和歐姆接觸快速合金、離子注入退火、氧化物生長、消除應力和致密化等工藝當中，通過快速熱處理以改善晶體結構和光電性能，技術指標高、工藝復雜、專用性強。
主要應用領域：
1.快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)；
2.離子注入/接觸退火；
3.金屬合金；
4.熱氧化處理；
5.化合物合金（砷化鎵、氮化物等）；
6.多晶硅退火；
7.太陽能電池片退火；
8.高溫退火；
9.高溫擴散。
產品特點：
· 可測大尺寸樣品：可測單晶片樣品的尺寸為4英寸。
· 壓力控制系統創(chuàng)新設計：高精度控制壓力，以滿足不同的工藝要求。
· 存儲熱處理工藝：方便工藝參數調取，提高實驗效率，數據可查詢。
· 快速控溫與高真空：升溫速率可達150℃/s，真空度可達到10-5Pa。
· 程序設定與氣路擴展：可實現不同溫度段的控制，進行降溫段的自動轉接，并能夠對工藝菜單進行保存，方便調用。采用MFC控制氣體流量，實現不同氣氛環(huán)境（真空、氮氣等）下的熱處理。
· 腔體空間設計：保證大尺寸樣品的溫場均勻性 ≤1%。
· 全自動智能控制：采用全自動智能控制，包括溫度、時間、氣體流量、真空、冷卻水等均可實現自動控制。
· 超高安全系數：采用爐門安全溫度開啟保護、溫控器開啟權限保護以及設備急停安全保護三重安全措施，保障設備使用安全。
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· 主要技術參數：
最大樣品尺寸 | 4英寸（直徑100mm） |
控溫范圍 | RT~1200℃ |
升溫速率（max） | 150℃/s |
高溫段降溫速率（max） | 1200℃/min |
控溫精度 | ±0.5℃ |
溫場均勻性 | ≤1% |
氣體流量 | 標配1路MFC控制（氮氣）可擴展至4路 |
壓力控制 | ~1bar，±100Pa |
工藝條件 | 支持真空、氧化、還原、惰性氣體等工藝氣氛，一鍵設置通過軟件控制真空及通氣時間 |
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