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型號:
RRAM阻變式存儲器測試儀

描述:應用領(lǐng)域主要有:
Ferroelectric/ Multiferroic Tunnel-Junctions (FTJ/MFTJ) 鐵電/多鐵隧道結(jié)
Electro-Chemical Metallization Memory (ECM) 電化反應存儲器
Magnetoresistive Tunnel-Junctions (MTJ) 磁阻隧道結(jié)
Electronic Effect Memory (EE

  • 廠商性質(zhì)

    生產(chǎn)廠家
  • 更新時間

    2024-08-27
  • 訪問量

    1012
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RRAM阻變式存儲器測試儀
(RRAM or ReRAM Test Systems)


本設(shè)備是世界*的阻變式存儲器 ReRAM/RRAM,Resistive Random Access Memory)測試系統(tǒng)。

應用領(lǐng)域主要有:
Ferroelectric/ Multiferroic Tunnel-Junctions (FTJ/MFTJ) 鐵電/多鐵隧道結(jié)
Electro-Chemical Metallization Memory (ECM) 電化反應存儲器
Magnetoresistive Tunnel-Junctions (MTJ) 磁阻隧道結(jié)
Electronic Effect Memory (EEM) 電子效應存儲器
Thermo-Chemical Memory (TCM) 熱化存儲器
Valence Change Memory (VCM) 價變存儲器
Phase Change Memory (PCM) 相變存儲器
Nano Electro-Mechanical Memory (NEMM) 納米機電存儲器
Molecular Electronic Switch 分子電子開關(guān)

電阻開關(guān)測試系統(tǒng)Resistive Switching Test Systems RS系列儀器是aixACCT公司*產(chǎn)品,用于電阻特性隨機存儲器(RRAM)和電阻開關(guān)(RS)的研究測試。
RS系列儀器能夠提供相當廣的范圍的測試解決方案,范圍涵蓋從納米尺度的表征到超高速器件的測試,從獨立的研發(fā)級的桌上型測試系統(tǒng)到半導體生產(chǎn)線。

研究及工業(yè)級系統(tǒng) Research and Industry Tools
模塊化的設(shè)計理念,使得aixACCT產(chǎn)品可以在任何時候從基本的材料表征工具升級其他的選件配置。這提供了最大的靈活性,可以使您的測試系統(tǒng)達到針對您的材料或器件發(fā)展的任何階段的特定要求。

RRAM測試系統(tǒng)可以很容易的和其他設(shè)備或通用軟件聯(lián)用,如:
1英寸到8英寸晶圓的熱臺;
用于樣品平行測試的Switchbox系統(tǒng)
用于晶圓掃描信息的自動晶圓探針臺
自動性能測試序列的遠程控制
脈沖發(fā)生器、數(shù)字采樣示波器

aixACCT公司開發(fā)出了一種通用的RS模塊用于電阻開關(guān)存儲器的測試。系統(tǒng)基于TF Analyzer 2000系統(tǒng),聯(lián)用RS模塊和特定的電流監(jiān)視放大器,可以滿足RRAM的表征。 系統(tǒng)配置了高精度電壓和電流源以及高級電壓、電流監(jiān)視放大器。aixACCT的超快電流和電壓適應性保證了每次電阻開關(guān)系統(tǒng)測試的高精度和可靠性測量。

該測試系統(tǒng)*兼容aixACCT的測試軟件和選配軟件工具,可以提供可靠性測試和數(shù)據(jù)分析及交換。

應用:
單極及雙極偏壓的I-V表征;
電壓驅(qū)動的電流響應測試及電流驅(qū)動的電壓響應測試;
可靠性和疲勞測試;
可編程編成程序;
可靠性和耐久性測試

優(yōu)點:
一站式單極偏壓和雙極偏壓電阻開關(guān)材料的綜合評價(TCM,ECMVCM系統(tǒng));
超快響應系統(tǒng)(設(shè)置時間<100ns);
調(diào)停過程電流電壓響應的真實電流電壓值的記錄系統(tǒng);
可實現(xiàn)遠程訪問和腳本控制;
可選的數(shù)據(jù)庫連接(ODBC)方便確定材料/器件特征;
升級服務;客戶支持


 


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